14
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFG35010AR1
Table 7. Class AB Common Source S-Parameters (VDD
= 12 Vdc, I
DQ
= 140 mA, T
C
= 25
°C, 50 ohm system)
(continued)
ff
S11
S21
S12
S22
GHz
|S11|
∠φ
|S21|
∠φ
|S12|
∠φ
|S22|
∠φ
4.70
0.717
86.7
1.459
-59.3
0.0880
-31.6
0.576
134.4
4.75
0.705
83.2
1.482
-62.4
0.0913
-33.8
0.568
133.4
4.80
0.693
79.6
1.505
-65.6
0.0945
-36.1
0.560
132.3
4.85
0.682
75.8
1.530
-68.8
0.0977
-38.6
0.553
131.2
4.90
0.670
71.7
1.554
-72.2
0.1016
-41.2
0.544
130.0
4.95
0.658
67.4
1.578
-75.6
0.1051
-43.8
0.536
128.9
5.00
0.647
62.9
1.602
-79.2
0.1089
-46.6
0.527
127.6
5.05
0.636
58.1
1.626
-82.8
0.1127
-49.6
0.519
126.2
5.10
0.625
53.1
1.649
-86.6
0.1167
-52.7
0.510
124.8
5.15
0.615
47.9
1.672
-90.4
0.1207
-56.1
0.502
123.1
5.20
0.607
42.3
1.694
-94.4
0.1244
-59.5
0.492
121.3
5.25
0.599
36.5
1.713
-98.5
0.1281
-62.9
0.482
119.4
5.30
0.594
30.4
1.731
-102.7
0.1319
-66.6
0.471
117.2
5.35
0.590
24.0
1.750
-107.0
0.1357
-70.3
0.460
114.9
5.40
0.589
17.5
1.764
-111.4
0.1392
-74.2
0.449
112.3
5.45
0.588
10.7
1.776
-116.0
0.1428
-78.2
0.436
109.4
5.50
0.590
3.7
1.785
-120.8
0.1461
-82.6
0.423
106.0
5.55
0.593
-3.2
1.787
-125.6
0.1488
-86.7
0.407
102.4
5.60
0.598
-10.1
1.784
-130.4
0.1514
-91.0
0.392
98.2
5.65
0.605
-17.0
1.777
-135.3
0.1533
-95.6
0.373
93.6
5.70
0.616
-23.5
1.767
-140.2
0.1551
-100.0
0.354
88.4
5.75
0.629
-29.8
1.757
-145.1
0.1571
-104.5
0.334
82.7
5.80
0.648
-36.1
1.744
-150.3
0.1584
-109.1
0.314
76.0
5.85
0.668
-42.5
1.724
-155.6
0.1596
-113.9
0.294
68.3
5.90
0.687
-48.8
1.697
-160.9
0.1599
-118.7
0.275
59.4
5.95
0.706
-54.8
1.664
-166.2
0.1597
-123.7
0.257
49.1
6.00
0.726
-60.5
1.627
-171.5
0.1589
-128.5
0.243
37.5
6.05
0.746
-66.1
1.587
-176.8
0.1578
-133.4
0.234
24.5
6.10
0.766
-71.3
1.542
178.0
0.1562
-138.3
0.231
10.5
6.15
0.785
-76.3
1.494
172.8
0.1542
-143.2
0.236
-3.7
6.20
0.803
-81.1
1.441
167.6
0.1515
-148.1
0.249
-17.1
6.25
0.820
-85.6
1.388
162.4
0.1484
-153.0
0.269
-29.9
6.30
0.838
-90.0
1.332
157.3
0.1450
-157.8
0.293
-41.1
6.35
0.853
-94.2
1.274
152.3
0.1410
-162.5
0.322
-51.0
6.40
0.867
-98.2
1.216
147.5
0.1368
-167.0
0.355
-59.8
6.45
0.880
-102.0
1.157
142.7
0.1323
-171.3
0.388
-67.7
6.50
0.892
-105.6
1.099
138.0
0.1280
-175.6
0.423
-74.6
6.55
0.902
-109.0
1.041
133.5
0.1236
-179.7
0.457
-81.0
6.60
0.911
-112.2
0.985
129.2
0.1193
176.3
0.490
-86.7
6.65
0.918
-115.3
0.929
125.0
0.1149
172.1
0.523
-91.9
6.70
0.926
-118.2
0.876
120.9
0.1102
168.3
0.555
-96.8
6.75
0.933
-121.0
0.825
116.9
0.1058
164.6
0.585
-101.4
6.80
0.938
-123.7
0.777
112.9
0.1012
161.0
0.613
-105.6
6.85
0.946
-126.3
0.729
109.2
0.0968
157.4
0.641
-109.5
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